2025年2月24日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项硅衬底氮化镓外延片方面的团体标准立项建议，详细信息如下：
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 060—202X 《HEMT器件用硅衬底氮化镓外延片》旨在规范用于制备HEMT用的Si衬底GaN外延材料在关键参数要求、测试方法、检测规则、包装运输等方面的标准，为后续制造GaN功率器件提供基础。目前市场Si衬底GaN外延材料以6英寸和8英寸为主，本文件对6英寸和8英寸外延材料做了规范。首先提出了使用的Si衬底的参数要求；其次提出了外延片的材料的晶体质量、外延层厚度及翘曲、表面颗粒、表面粗糙度等要求；也提出了外延材料的二维电子气(2DEG)浓度、迁移率、方阻不均匀性、缓冲层垂直击穿电压及漏电流等参数要求，以确保外延片性能符合器件性能和应用的需求；同时还应提出了外延片厚度不均匀性的要求，使生产的大尺寸GaN-on-Si外延片能够确保器件在量产过程中保持较高良率。此外，还需要针对GaN-on-Si外延片关键参数的检测方法和检测规则制定规范化标准，以便对符合标准的外延片进行认证和标识。
苏州晶湛半导体有限公司
晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的先锋厂商，技术实力处于国际领军地位。
在公司发展过程中，晶湛在业内创造过多项创举。2014年底，晶湛半导体率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，实现了国内氮化镓产业的重要升级。2021年9月，晶湛半导体成功发布12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了国内外广泛关注。经过多年的专注发展，晶湛半导体已经成为国内GaN材料研发和产业化的领军企业，通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作，多次在行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果，引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。
晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请超900项专利，其中已获得超200项专利授权。公司还先后荣获国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、高新技术企业、江苏省企业工程技术研究中心、江苏省潜在独角兽企业、江苏省瞪羚企业、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市技术发明一等奖、苏州市优秀专利奖等一系列资质和荣誉。
苏州晶湛半导体有限公司将一直秉承着“成为世界领先的第三代半导体材料供应商”的愿景，为客户创造价值。
