国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司取得一项名为“氮化镓半导体器件”的专利，授权公告号 CN 222515484 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请公开氮化镓半导体器件，包括半导体叠层、栅极电极、源极电极接触、漏极电极接触，以及介质层和钝化层。其中，栅极电极、源极电极和漏极电极设置在半导体叠层上；介质层填充设置于半导体叠层上、且分别与栅极电极、源极电极接触和漏极电极接触抵接，介质层远离半导体叠层的一侧低于源极电极和/或漏极电极远离半导体叠层的一侧；钝化层包括沿半导体叠层到介质层的方向依次层叠设置的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层填充设置在介质层、源极电极接触和/或漏极电极接触所形成的容置槽内，第二钝化层覆盖设置在第一钝化层、源极电极接触和漏极电极接触上远离半导体叠层一侧。上述氮化镓半导体器件，防水汽侵蚀能力、可靠性和使用寿命较高。
天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目83次，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可105个。
