国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“功率半导体模块装置及其制作方法”的专利，公开号CN 119495574 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供了一种方法，包括：在壳体中填充具有第一密度的第一材料，从而形成液体或凝胶状的第一预层，其中壳体包括侧壁，并且其上布置有至少一个半导体主体的衬底布置在壳体中或形成壳体的接地表面，并且其中，第一预层部分填充壳体并完全覆盖衬底和其上布置的至少一个半导体主体；在壳体中填充不同于第一材料且具有第二密度的第二材料，其中第一密度高于第二密度，从而形成液体或凝胶状的第二预层，其中第一预层由于其较高的密度而形成在第二预层和衬底之间；以及执行固化步骤，从而同时固化第一材料和第二材料并形成固体的第一层和固体的第二层，其中第二层永久地粘附到第一层。
