国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号 CN 119497565 A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括接触区；所述接触区位于所述第一表面；电极结构，所述电极结构位于所述第一表面和所述第二表面；所述电极结构包括电极材料层和压电材料层，所述压电材料层位于所述电极材料层远离所述半导体本体的一侧；所述压电材料层设置有多个空腔，所述多个空腔贯穿所述压电材料层；所述电极材料层覆盖所述第一表面和所述第二表面，且所述电极材料层填充所述多个空腔。本发明可以降低功耗，提高器件的开关速度和导电性能。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币，实缴资本104000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可8个。
