天眼查显示，上海新微半导体有限公司“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布，申请公布日为2024年12月27日，申请公布号为CN119209203A。
本发明提供一种垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法，该校验方法通过采用Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为缓冲层的GaAs衬底的垂直腔面发射激光器的外延结构进行外延校验，在进行外延校验时对AlGaAs缓冲层的外延生长进行原位监测，进而减少试生产的次数，提高外延校验效率，此外，通过采用外延工艺于GaAs衬底上生长Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs缓冲层，同时在该外延工艺过程中于外延工艺腔室内壁上沉积Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为内壁保护层，以此来减少甚至避免外延生长时外延工艺腔室内的杂质颗粒掉落在外延生长的膜层表面形成缺陷，同时还可以去掉单独于外延工艺腔室内壁上沉积内壁保护层的炉次，进一步提高外延校验效率。
