格恩半导体取得半导体激光器封装模组专利,降低激光器芯片的热失配和温升幅度

日期:2025-02-14 阅读:269
核心提示:国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司取得一项名为一种半导体激光器封装模组的专利,授权公告号 CN 222441099 U,申

国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种半导体激光器封装模组”的专利,授权公告号 CN 222441099 U,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种半导体激光器封装模组,包括管脚、管座、管舌、热沉和激光器芯片;激光器芯片与热沉之间具有第一连接层;热沉与管舌之间具有第二连接层;第一连接层的热阻小于等于热沉的热阻;第二连接层的热阻小于等于管座的热阻;第二连接层的热阻小于等于第一连接层的热阻;第二连接层的热阻小于等于管舌的热阻,减少激光器模组的热阻瓶颈点降低激光器模组的总热阻进而降低激光器芯片的结温,从而降低激光器芯片的热失配和温升幅度,降低激光器芯片的压电极化和量子限制stark效应,提升激光器芯片的量子限域效应、辐射复合效率和热反转电流密度,并降低跳模比例和改善老化过程的斜率效率下降。

天眼查资料显示,安徽格恩半导体有限公司,成立于2021年,位于六安市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币,实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目4次,知识产权方面有商标信息2条,专利信息438条,此外企业还拥有行政许可12个。

 

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