贝塔相氧化镓（β-Ga2O3）作为超宽带隙半导体在高压功率器件、日盲和辐射探测等方面具有重要的应用前景。对于高压功率器件和粒子辐射探测器常常需要生长10μm以上的大厚膜外延层。在大厚度外延时需要保持一定的生长速度以提高生长效率。
2025年2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆邮电大学、重庆大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
大连理工大学副教授张赫之受邀将出席论坛，并带来《氧化镓外延生长中扩展缺陷形成机制及其对功率器件影响》的主题报告，分享相关研究成果与进展，涉及β-Ga2O3厚膜外延中缺陷扩展的研究等内容，报告详情，敬请关注！
嘉宾简介
张赫之
大连理工大学副教授
张赫之，于法国巴黎十一大学获得博士学位，师从Maria Tchernycheva研究员。2016年8月，加入瑞士联邦理工大学(EPFL)，在宽禁带半导体领域研究专家Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。现任大连理工大学集成电路学院副教授，主要事第三代宽禁带半导体器件的研究。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface, Applied physics letter, Nanotechnology等高水平期刊上。
“先进半导体产业大会（CASICON）”
“先进半导体产业大会（CASICON）”是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半导体产业为己任，聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，持续输出高质量的活动内容。自活动启动以来，足迹已走过南京、长沙、西安、深圳、成都、济南、上海等城市，围绕产业链不同环节热点，通过“主题会议+推荐展示”的形式，搭建了良好的交流平台，促进了参与各方交流合作，捕捉合作新机遇，发挥了重要的桥梁与聚合价值。
目前论坛组织正有序进行中，论坛诚邀全产业链相关专家学者、企业、从业人士莅临现场交流研讨、参观&合作。日程安排及专家、报告人详见下图!
