采用宽禁带半导体氮化镓（GaN）材料的功率二极管具备高击穿电压和低导通电阻等特性。然而，基于横向AlGaN/GaN异质结的GaN横向功率二极管目前仍然存在较高开启电压/导通压降/泄漏电流所导致的功耗较大问题。
2025年2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆邮电大学、重庆大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
松山湖材料实验室工程师王方洲受邀将出席论坛，并带来《基于Schottky-MIS级联阳极结构的低功耗GaN横向功率二极管研究》的主题报告，将分享相关研究成果与进展，涉及Schottky-MIS级联阳极结构等内容。报告详情，敬请关注！
嘉宾简介
王方洲
松山湖材料实验室公共技术平台工程师
王方洲，博士，松山湖材料实验室公共技术平台工程师，2018~2023于电子科技大学功率集成技术实验室攻读博士学位，专注于GaN功率半导体器件的理论模型、结构设计、制造工艺等方面的研究，完整经历公共技术平台下属微加工与器件平台的GaN器件工艺能力建设进程。近年来，参与多项国家级和省部级项目，主持完成多项企业横向课题，在IEEE Electron Device Lett.和IEEE Trans. Electron Devices等SCI期刊和国际会议上发表科研论文20余篇，其中第1作者论文10篇，h-index为12，总被引次数超400次，获授权中国发明专利5项。
“先进半导体产业大会（CASICON）”
“先进半导体产业大会（CASICON）”是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半导体产业为己任，聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，持续输出高质量的活动内容。自活动启动以来，足迹已走过南京、长沙、西安、深圳、成都、济南、上海等城市，围绕产业链不同环节热点，通过“主题会议+推荐展示”的形式，搭建了良好的交流平台，促进了参与各方交流合作，捕捉合作新机遇，发挥了重要的桥梁与聚合价值。
目前论坛组织正有序进行中，论坛诚邀全产业链相关专家学者、企业、从业人士莅临现场交流研讨、参观&合作。日程安排及专家、报告人详见下图!
