传统功率模块采用引线键合和回流焊接工艺实现芯片互连，但该互连方法将带来较大寄生参数与结壳热阻，限制了功率模块的功率密度及服役温度，并产生引线断裂和焊料分层等疲劳失效问题。囿于传统封装材料与结构，功率芯片性能难以得到充分发挥，新型互连技术成为解决当前问题的关键。
2025年2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆邮电大学、重庆大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
中南大学教授汪炼成受邀将出席论坛，并带来《功率半导体模块关键互连集成研究》的主题报告，报告将介绍课题组在功率模块互连工艺和技术方面研究进展，包括纳米银烧结机理与致密化工艺研究，BGA-双面散热模块互连，凸台式衬板互连，铜夹互连等，实现倒装焊接BGA+纳米银烧结双面功率模块，倒装Spacer 双面功率模块，凸台式DBC功率模块封装。
嘉宾简介
汪炼成
中南大学教授，博士生导师
汪炼成，中南大学教授，博士生导师，长期从事长期从事微/光电子三维集成器件和工艺研究，针对新型显示、可见光通信、新能源汽车和集成电路等行业需求，解决了非相干发光调控、氮极性面蚀刻、欧姆接触、高功率密度互连等科学和技术难题，实现具有极低正向工作电压垂直结构GaN基LED器件，低电流密度高传输速率白光LED，首次提出并实现谐振腔Micro-LED、圆偏振和指向发光Micro-LED，首次制备成功基于AlN微纳结构的紫外超透镜，实现倒装焊接BGA双面散热及凸台DBC SiC功率器件；攻克金属铟基热界面材料集成技术，带领完成超大尺寸（＞100mmx100mm）MCM chiplet FCBGA封装，相关成果在多家企业实现转化或应用。主持国家自然科学基金、湖南省重点研发计划等项目20余项，授权专利50余项，在Appl Phys Lett.，IEEE Transactions on Electron Devices等权威SCI 期刊发表论文150余篇，工作10余次被专业媒体如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 报道。
“先进半导体产业大会（CASICON）”
“先进半导体产业大会（CASICON）”是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半导体产业为己任，聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，持续输出高质量的活动内容。自活动启动以来，足迹已走过南京、长沙、西安、深圳、成都、济南、上海等城市，围绕产业链不同环节热点，通过“主题会议+推荐展示”的形式，搭建了良好的交流平台，促进了参与各方交流合作，捕捉合作新机遇，发挥了重要的桥梁与聚合价值。
目前论坛组织正有序进行中，论坛诚邀全产业链相关专家学者、企业、从业人士莅临现场交流研讨、参观&合作。日程安排及专家、报告人详见下图!
