近日，珠海华芯微电子有限公司（以下简称“华芯微电子”）宣布，其首条6英寸砷化镓晶圆生产线已正式调试完成，并成功制造出首片6英寸2微米砷化镓异质结双极晶体管（HBT）晶圆。这一重大进展标志着华芯微电子在化合物半导体技术领域实现了关键突破，同时也为未来的大规模生产打下了坚实的基础。
据悉，华芯微电子在珠海高新区投资建设的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目中，6英寸砷化镓晶圆生产线已经顺利启动，并成功产出首批6英寸2微米砷化镓异质结双极晶体管（HBT）晶圆。该项目自开工以来，得到了广东省、珠海市政府以及珠海高新区的积极支持，同时也获得了众多合作伙伴的协助。华芯微电子与格力集团等设计和施工单位紧密协作，高效推进了项目的建设。项目主体结构封顶仅耗时184天，设备安装和二次配工程在180天内完成，设备调试和生产线贯通更是仅用了90天，这一速度和执行力令人瞩目。
此次成功生产的6英寸2微米砷化镓HBT晶圆以其高增益和高效率的特点，预计将在5G Phase 7/8手机功率放大器模组和Wi-Fi 6/7等设备中发挥重要作用。这款产品的推出，不仅扩展了华芯微电子的产品系列，也标志着公司在射频芯片国产化制造领域取得了新的成就。
