Ⅲ族氮化物是典型的宽禁带半导体材料，GaN电力电子器件已广泛用于电力电子领域。AlGaN/GaN 结构能够产生高浓度 (>1×1013 cm−2)和高迁移率 (~2000 cm²/V·s) 的二维电子气。结合 GaN 的高临界电场 (~3.3 MV/cm)，基于AlGaN/GaN 的功率电子设备能够实现更快的速度、更低的导通电阻和更高的击穿电压 (BVs)。
2025年2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆邮电大学、重庆大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
南京大学电子科学与工程学院 教授陈鹏受邀将出席论坛，并带来《高压GaN基SBD功率器件研究进展》的主题报告，报告将分享其课题组近年来通过研究GaN SBD的击穿机制和器件工艺，研制超高压/低开起的GaN SBD的有关成果。研究进展详情，敬请关注！
嘉宾简介
陈鹏，南京大学电子科学与工程学院，教授
陈鹏，南京大学电子科学与工程学院，教授。2000年12月在南京大学物理系获理学博士学位，长期从事半导体光电子学研究，取得了一批世界首创、国内领先的研究成果。2001年至2007年历任新加坡科研局材料研究院研究员、首席科学家、新加坡国立大学电机工程系博士生导师，是“江苏省高层次创新创业人才引进计划”创新人才，江苏省“333人才工程”中青年领军人才，2010年江苏省有突出贡献的中青年专家，获2011年江苏省“333人才工程”突出贡献奖，2011年中国产学研创新奖个人奖，教学获批江苏省一流本科课程，江苏省材料学会教学成果一等奖。主持过多项国际合作项目，是国家2015年“863”主题项目“第三代半导体器件与评价技术”首席专家，2024年国家重点研发计划战略性科技创新合作项目首席科学家，主持和参加多项国家“973”、“863”、国家自然基金、江苏省重点研发项目等重大研究项目。申请国际发明专利7项，6项获授权，申请国家发明专利90余件。共发表学术论文200余篇，其中SCI收录190余篇。参与编著专著五部。
“先进半导体产业大会（CASICON）”
“先进半导体产业大会（CASICON）”是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半导体产业为己任，聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，持续输出高质量的活动内容。自活动启动以来，足迹已走过南京、长沙、西安、深圳、成都、济南、上海等城市，围绕产业链不同环节热点，通过“主题会议+推荐展示”的形式，搭建了良好的交流平台，促进了参与各方交流合作，捕捉合作新机遇，发挥了重要的桥梁与聚合价值。
目前论坛组织正有序进行中，论坛诚邀全产业链相关专家学者、企业、从业人士莅临现场交流研讨、参观&合作。日程安排及专家、报告人详见下图⇣⇣⇣
