碳化硅MOSFET凭借其高温、高压、高频等方面的突出优势，在光伏和电动汽车等新能源领域逐渐得到广泛应用。然而，在实际应用中，碳化硅MOSFET表现出严重的长期可靠性问题，还有诸多问题有待解决。
2025年2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆邮电大学、重庆大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
重庆大学电气工程学院研究员蒋华平受邀将出席论坛，并带来《碳化硅MOSFET动态阈值漂移》的主题报告，报告将针对2022年特斯拉Model 3召回事件从器件本体和电路回路参数差异两个方面展开分析，揭示碳化硅MOSFET动态阈值漂移规律及其背后的物理机理，并提出相应的解决方法。报告详情，敬请关注！
嘉宾简介
蒋华平博士
重庆大学“百人计划”特聘研究员，博士生导师
蒋华平，博士，重庆大学“百人计划”特聘研究员，博士生导师。专注于碳化硅功率半导体芯片、封装、测试以及应用技术研究与开发10余年：中国中车2年、英国丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英国华威大学（University of Warwick）2年、重庆大学6年。在碳化硅MOSFET动态阈值漂移等领域展开了深入系统研究，发表学术论文共计70余篇，其中期刊论文40余篇、会议论文30余篇。中国发明专利40余项，其中已授权14项，英国发明专利2项。牵头制定第三代半导体联盟团体标准1项，参与制定美国JEDEC标准1项。最早于国际顶级期刊IEEE Electron Device Letter上报道碳化硅MOSFET动态阈值漂移问题，开发的技术和设备，得到德国Infineon、美国Tektronix、德国S.E.T.公司（NI）和中国华为等国际一流公司认可和/或合作邀请。提出的局域电场增强理论，以及系列学术论文，被德国Infineon公司在其国际专利、学术论文和JEDEC标准中引用不少于7次。
“先进半导体产业大会（CASICON）”
“先进半导体产业大会（CASICON）”是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半导体产业为己任，聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，持续输出高质量的活动内容。自活动启动以来，足迹已走过南京、长沙、西安、深圳、成都、济南、上海等城市，围绕产业链不同环节热点，通过“主题会议+推荐展示”的形式，搭建了良好的交流平台，促进了参与各方交流合作，捕捉合作新机遇，发挥了重要的桥梁与聚合价值。
目前论坛组织正有序进行中，论坛诚邀全产业链相关专家学者、企业、从业人士莅临现场交流研讨、参观&合作。日程安排及专家、报告人详见下图⇣⇣⇣
