以SiC MOSFET和GaN HEMT为代表的第三代功率半导体器件为电力电子变换器的高频化、高密度、高效率提供了可能，正在取代硅基器件成为现代国防装备、数据中心、新能源、储能等领域的首选。
2025年2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办，极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆邮电大学、重庆大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。
西南交通大学集成电路科学与工程/电气工程学院、教授/博导马红波受邀将出席论坛，并带来《基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高频、高效电能变换与应用》的主题报告。报告将结合其研究团队多年来在宽禁带器件方面的应用经验，面向数据中心、无线传能、航空航天等领域，从变换架构、软开关拓扑、控制方法、数字控制等方面介绍基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高频、高效电力电子变换器设计，并指出其中的设计关键和考量。更多报告详情，敬请关注！
嘉宾简介
马红波
西南交通大学集成电路科学与工程/电气工程学院、教授/博导
马红波，教授/博导，四川省学术与技术带头人后备人选，IEEE Member, 美国电源协会PSMA会员, 中国电源学会高级会员, 中国电源学会照明专委会委员，中国电源学会无线电能传输技术与装置专委会委员，JKW 173计划重点项目专家，四川省电源学会理事, 成都市科技项目(重点)评审专家，成都市电动汽车无线充电系统标准评审专家组成员。研究方向为高效率、高功率密度电力电子变换器技术及其应用、无线电能传输技术及应用，MHz电源模块技术、信息系统供电架构及其关键电能变换技术、以及航空航天供电系统等。
主持国家自然科学基金面上项目2项，青年基金1项(结题优秀)，JKW重点项目1项，军委预研项目、型谱项目5项，中央高校业务经费创新项目、GF基金3项，企业横向项目10余项。发表学术论文100余篇(SCI 50篇)，其中第一作者及通信作者在IEEE Trans. Power Electron., IEEE Trans. Industrial Electron.，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in PE论文30篇。
“先进半导体产业大会（CASICON）”
“先进半导体产业大会（CASICON）”是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半导体产业为己任，聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，持续输出高质量的活动内容。自活动启动以来，足迹已走过南京、长沙、西安、深圳、成都、济南、上海等城市，围绕产业链不同环节热点，通过“主题会议+推荐展示”的形式，搭建了良好的交流平台，促进了参与各方交流合作，捕捉合作新机遇，发挥了重要的桥梁与聚合价值。
目前论坛组织正有序进行中，论坛诚邀全产业链相关专家学者、企业、从业人士莅临现场交流研讨、参观&合作。日程安排及专家、报告人详见下图⇣⇣⇣
