2025年1月23日，由奥趋光电技术（杭州）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体研究所牵头起草的标准T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测试方法》已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位。非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn
T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法》描述了用择优化腐蚀技术测试氮化铝抛光片中位错密度的方法，包括方法原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。
本文件适用于抛光加工后位错密度小于10*7 个/cm2的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。
T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测试方法》描述了氮化铝（AlN）抛光片光吸收系数的测试方法，包括原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。
本文件适用于氮化铝抛光片的光学质量控制和评估。氮化铝外延片可参照使用。
（来源：第三代半导体产业技术战略联盟）
