杭州士兰微电子取得半导体器件专利,控制了栅漏电容

日期:2025-01-21 阅读:221
核心提示:国家知识产权局信息显示,杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为半导体器件、半导体器件的元胞结构及掩模板的专利,授权公告号

国家知识产权局信息显示,杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“半导体器件、半导体器件的元胞结构及掩模板”的专利,授权公告号CN 222356843 U,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本公开提供了一种半导体器件、半导体器件的元胞结构及掩模板,该半导体器件包括多个元胞,其中至少一个元胞包括第一控制栅部分和第二控制栅部分,第一控制栅部分和第二控制栅部分彼此分离第控制栅部分和第二控制栅部分通过第三控制栅部分连接,第一控制栅部分、第二控制栅部分和第三控制栅部分组成控制栅,第一控制栅部分和第二控制栅部分位于半导体器件的有源区,第三控制栅部分位于半导体器件的过渡区,过渡区位于有源区和半导体器件的终端区之间。该半导体器件通过控制第一控制栅部分与第二控制栅部分的宽度以及二者之间的距离,进而控制了栅漏电容。

天眼查资料显示,杭州士兰微电子股份有限公司,成立于1997年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本166407.1845万人民币,实缴资本166407.1845万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州士兰微电子股份有限公司共对外投资了30家企业,参与招投标项目22次,知识产权方面有商标信息50条,专利信息1125条,此外企业还拥有行政许可242个。

 

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