成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应

 国家知识产权局信息显示，成都士兰半导体制造有限公司申请一项名为“半导体外延结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119181725 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体外延结构及其制备方法，其中半导体外延结构从下至上依次包括：衬底、外延阻挡层、第一外延层、阻挡栅以及第二外延层，阻挡栅包括至少两个无掺杂结构层。本发明通过阻挡栅的设计可以降低外延自掺杂效应，解决外延层过渡区平缓的问题。