国家知识产权局信息显示，河北同光半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用”的专利，公开号 CN 119181634 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明涉及单晶柔性膜制造技术领域，具体公开一种具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供的具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜的制备方法，依次在 n 型碳化硅衬底表面同质外延生长 n 型碳化硅层、n 型碳化硅层和 p 型碳化硅层，然后采用光电化学刻蚀的方法对制备的碳化硅外延片进行光电化学腐蚀，通过控制特定的光电刻蚀参数，实现了具有 p/n 结结构的碳化硅薄膜的高效剥离，且不会产生对剥离的碳化硅薄膜产生损伤，剥离得到的碳化硅单晶柔性膜可作为柔性基底材料，在其基础上设计柔性芯片、柔性传感器等柔性光电子元器件，应用于可穿戴设备、柔性显示和柔性检测等领域。
