上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量

 国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体”的专利，公开号 CN 119177489 A，申请日期为 2023年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体，属于SiC生产加工技术领域。SiC衬底包括第一表层、第二表层和中间层；同一轴线上，在所述第一表层中任意平行于第一主表面或第二主表面的平面处，Smax1代表第一表层中径向应力绝对值最大值，Smax2代表中间层中径向应力绝对值最大值，Smax3代表第二表层中径向应力绝对值最大值，△S1＝Smax2Smax1，△S2＝Smax2Smax3，15MPa≤△S1≤10MPa，15MPa≤△S2≤10MPa。上述第一表层、第二表层和中间层中SiC衬底中的径向应力均较低，且各个层之间的应力分布均匀性好，能够提高SiC衬底的质量，扩大该SiC衬底的使用范围，有利于下游外延片和晶体的生产加工。