国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基化合物半导体激光元件”的专利，公开号CN 119171176 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种GaN基化合物半导体激光元件。该GaN基化合物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，上波导层与上限制层之间具有激子声子量子干涉层；激子声子量子干涉层的晶格常数分布具有函数y＝A+B*lnx+x曲线分布；激子声子量子干涉层的禁带宽度分布具有函数y＝C+D*sinx/x2第三象限曲线分布；该GaN基化合物半导体激光元件，可以解决阈值处的电导上跳、电容下沉和理想因子上跳的突变问题，降低电子空穴的传输损耗，提升载流子注入均匀性和增益均匀性，提升激光器光功率；提升光束质量因子。
