2024年12月23日下午，海宁立昂东芯6英寸微波射频芯片及器件项目正式通线。海宁产线从2022年5月的第一根桩基打下开始，到2024年8月第一台生产设备移入，再到现在顺利实现通线，实现了从无到有、从0到1的突破。
砷化镓微波射频芯片（GaAs）产品主要应用于无线通信、雷达系统、卫星通讯和微波点对点连线等领域；碳化硅基氮化镓（GaN HEMT）产品主要应用于5G通信、电动汽车、工业控制系统、航空航天等领域；垂直腔面激光器（VCSEL）产品主要应用于车载激光雷达、光通信、机器人和无人机等领域。
立昂微在化合物半导体射频芯片领域深耕多年、卓有建树。控股子公司杭州立昂东芯是浙江省首家、国内较早建成商业化生产线的微波射频集成电路芯片制造企业，目前已经发展成为国内领先的微波射频集成电路芯片以及激光器芯片代工的龙头企业，产能规模和工艺技术水平位居国内第一梯队，早在2021年10月基于双异质结思路在国内率先开发成功第一款InGaP DHBT工艺技术，其效率（PAE）和抗失配（Ruggedness）特性达到了世界先进水平。HBT工艺技术已超过9种进入量产阶段，不同的工艺面对不同的射频应用场景，例如LH05具有高线性特征，主要应用于基站和WiFi，而LH07则具有高健壮性特征，可应用于卫星电话，而最新的LH09工艺则集成了高增益和高线性两大特征，不仅能满足当前国内大多数应用需求，也可应对下一代移动通信和未来其他应用场景需求。在2022年10月，成为全球第一家公开发布了应用于功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和开关(SW)等多功能的0.15um E/D-mode GaAs pHEMT工艺技术。2024年3月，二维可寻址大功率VCSEL激光器工艺技术开发成功并在行业内首家实现了量产。近期宇航级射频芯片产品进入低轨卫星终端客户并实现大规模出货。相关产品已进入国内外众多知名头部终端客户供应链，具有成熟的稳定的高质量客户群。
海宁立昂东芯注册成立于2021年，是立昂微化合物半导体射频芯片业务板块新的生产基地项目。该项目厂务设施均按照业界一流水准建设，机台均为先进的业界主流设备，国产化比例超过80%，自动化比例达到100%，全面实施信息化、智能化管理，是国内自动化程度最高的化合物代工产线。规划总投资50亿元，布局6英寸砷化镓微波射频芯片（GaAs）、氮化镓（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等产品领域。建成后将达到年产36万片6英寸微波射频芯片及器件的生产规模。海宁立昂东芯项目的建成投产，意味着作为一个重要的生产基地将有效弥补杭州立昂东芯发展的不足，为立昂微化合物半导体射频芯片业务板块拓展出更为广阔的快速发展空间。
经过多年的培育发展，海宁已在设计端、设备端、材料端、封测端形成聚链补链的泛半导体产业集群效应，成为浙江省集成电路产业高质量发展的重要布局地。此次通线的海宁立昂东芯项目，是企业面向未来的重大战略布局，达产后将成为国内单体产出最大的微波射频芯片生产基地，不仅对企业致力于打造中国大陆最大的化合物射频芯片制造基地迈出了坚实步伐，更为海宁市乃至嘉兴市找准新质生产力着力点、抢抓第三代半导体产业新机遇、勇闯高质量发展新路径具有重要意义。
