国家知识产权局信息显示，浙江材孜科技有限公司取得一项名为“一种碳化硅单晶生长装置”的专利，授权公告号CN 222182546 U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种碳化硅单晶生长装置，通过设置坩埚结构包括开口相对设置的下坩埚和上坩埚，所述上坩埚和所述下坩埚通过侧壁滑动连接；一方面，使得可以充分利用上坩埚和下坩埚之间的生长空间，进一步提高长晶厚度而且上坩埚与下坩埚之间的组合也更有利于生长空间的稳定性；另一方面，上坩埚和下坩埚通过侧壁滑移连接，可以通过动态拉伸保持碳化硅单晶生长界面和碳化硅粉料界面的距离来控制轴向温度梯度的动态平衡，保持在生长过程中的生长界面的稳定，降低位错等缺陷。
