广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利,解决图形化衬底均一性降低问题

日期:2024-12-23 阅读:222
核心提示:国家知识产权局信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

 国家知识产权局信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片”的专利,公开号CN 119153591 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明实施例提供的一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片,该方法首先提供一衬底;应用物理、化学或机械平坦化技术中的至少一种,对衬底的第一表面进行原子级平坦化处理,以使第一表面的粗糙度达到第一表面粗糙度范围,和/或对衬底的第二表面进行原子级平坦化处理,以使第二表面的粗糙度达到第二表面粗糙度范围;在衬底的第二表面形成光刻胶层;利用掩膜版对光刻胶层进行曝光,以将掩膜版上的图形转移至衬底的第二表面。解决了因衬底表面粗糙,使得在图形化工艺曝光过程中,曝光光束在透过衬底时,在衬底表面发生反射、折射,从而对光刻胶进行多次曝光,从而导致刻蚀后图形化衬底的均一性降低的问题。

 

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