国家知识产权局信息显示，浙之芯（杭州）半导体技术有限公司申请一项名为“一种氮化镓传感器及制备方法和装置”的专利，公开号CN 119141232 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及氮化镓传感器制备技术领域，具体涉及一种氮化镓传感器及制备方法和装置，包括底座和制备组件，制备组件包括底部移动单元、移动架、多个回弹单元下压板防滑保护板、第一驱动单元、第一刀片、第二驱动单元、第二刀片和上推单元，通过第一刀片从上方对衬底切割，改变尺寸大小，启动第二驱动单元，通过第二刀片从侧面对衬底切割，改变衬底厚度，最后上推单元启动，将下压板衬底上推，然后底部移动单元带动移动架和下压板远离衬底，不再抵持，将切割完成的衬底进行抛光，使其适配不同的氮化镓传感器需求，制备衬底方便快捷，从而大大提高氮化镓传感器的制备效率。
