国家知识产权局信息显示，苏州立琻半导体有限公司申请一项名为“p型AlGaN材料及其制备方法、紫外光电子器件的制备方法”的专利，公开号CN 119133328 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种p型AlGaN材料及其制备方法、紫外光电子器件的制备方法，属于半导体技术领域，p型AlGaN材料的制备方法包括：在第一温度下，通入有机金属源和N源，生长p型AlGaN材料；暂停通入有机金属源，在第二温度下保持一定时间，使p型AlGaN材料中的部分Ga原子逸出，从而在p型AlGaN材料中产生阳离子空位；其中，第二温度高于第一温度，第二温度与第一温度的差值的范围为20℃至200℃。由此，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度。
