国家知识产权局信息显示，深圳市森国科科技股份有限公司申请一项名为“一种 MOSFET 结构的制作方法及 MOSFET 结构”的专利，公开号 CN 119132964 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明公开一种 MOSFET 结构的制作方法及 MOSFET 结构，该方法包括：在晶圆上进行离子注入形成 p 型屏蔽区，并在晶圆上刻蚀出沟槽，晶圆包括第一电流传输层和第二电流传输层，沟槽分布在第二电流传输层的两侧；在沟槽下方形成掺杂区，掺杂区位于第二电流传输层的两侧；在掺杂区和晶圆上生长栅氧化层和第八阻挡层，通过光刻胶对第八阻挡层进行刻蚀和沉积多晶硅，形成两个栅极区；形成氧化介质层包裹栅极区，在掺杂区、氧化介质层和第二电流传输层上沉积源极区和肖特基接触区，在晶圆底部沉积漏极区，进行欧姆接触和肖特基接触。本发明通过 p 型屏蔽区和掺杂区保护栅极氧化物和肖特基接触区，并控制导电电流路径宽度，降低饱和电流，提升短路能力和可靠性。
