12月18日，据长飞先进官微消息，长飞先进武汉基地项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛举办。
据介绍，长飞先进武汉基地项目本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等。目前，长飞先进武汉基地项目正推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。据长飞先进官微此前消息，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
