国家知识产权局信息显示，上海烨映微电子科技股份有限公司申请一项名为“GaN 晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法”的专利，公开号 CN 119132982 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明提供了 GaN 晶体管与栅极驱动器的合封方法及合封结构，其中合封方法包括以下步骤：提供一陶瓷基板；在所述陶瓷基板上贴装 GaN 晶体管和栅极驱动器，所述GaN 晶体管和栅极驱动器为相邻布置；填充胶体于所述陶瓷基板分别与所述GaN 晶体管和栅极驱动器之间的间隙；在所述GaN 晶体管的外侧面上形成热传导胶利用金属外壳覆盖所述GaN 晶体管和栅极驱动器并且所述热传导胶抵接于所述GaN 晶体管和金属外壳之间，实现高频能力、耗损率小、可靠性好和散热性能好。
