国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“一种功率开关器件”的专利，公开号 CN 119133248 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种功率开关器件，包括衬底层、外延层、栅极结构和场板结构。栅极结构为平面栅级结构。在功率开关器件的第一表面上，平面栅极结构位于功率开关器件的第一表面，并且在与所述第一表面平行的水平面上具有网眼状结构。本申请功率开关器件，将平面栅结构设计为网眼状结构，从而使栅极结构分布于场板结构间的每一个平台，增加了器件的电流扩散区，提高了器件的功率密度。
