国家知识产权局信息显示，成都氮矽科技有限公司申请一项名为“一种 N 面增强型 GaN 双向功率器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133228 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本申请提供一种 N 面增强型 GaN 双向功率器件及其制备方法，包括衬底、AlN 成核层、缓冲层、C 掺杂 AlGaN 层、AlGaN 势垒层、GaN 沟道层以及钝化层，栅极金属位于栅极区域并与 GaN 沟道层连接，第一漏极与第二漏极设置于栅极区域的两侧，第一漏极包括第一肖特基接触金属和与其连接的第一欧姆接触金属，第二漏极包括第二肖特基接触金属和与其连接的第二欧姆接触金属；第一肖特基接触金属与 AlGaN 势垒层连接形成第肖特基接触第欧姆接触金属与 GaN 沟道层连接形成第一欧姆接触，第二肖特基接触金属与 AlGaN 势垒层连接形成第二肖特基接触，第二欧姆接触金属与 GaN 沟道层连接形成第二欧姆接触，以提高器件的抗辐照能力。
