国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法”的专利，公开号CN 119133234 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在N +衬底层外延生长形成N 外延层，并通过离子注入在N 外延层顶部形成PW区；S200，对PW区顶面进行刻蚀，形成多个栅极沟槽区；S300，在PW区内次注入形成第一P+区、第二P+区、第一N+区和第二N+区；S400，在第一P+区上刻蚀源极沟槽区，并在源极沟槽区侧壁形成欧姆接触合金，与源极沟槽两侧的P+区形成欧姆接触；S500，在栅极沟槽区侧壁和槽底淀积一层栅氧层，并通过Poly层填充，作为栅电极引出；S600，在N 外延层上依次形成隔离介质层、欧姆接触合金层、肖特基金属层和正面电极金属层。本发明抑制了栅氧化层处的峰值电场，可以改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性问题。
