国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“碳化硅晶体管结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119133236 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种碳化硅晶体管结构及其制备方法。所述方法包括：形成一碳化硅衬底，所述碳化硅衬底内形成有阱区，所述阱区内形成有第一掺杂区；于所述第一掺杂区中形成凹槽并执行离子注入形成延伸至所述阱区内的第二掺杂区；于所述碳化硅衬底顶面形成栅极结构以及完全包覆所述栅极结构的栅介质层；以及形成贯穿所述栅介质层并至少部分暴露所述第二掺杂区的接触孔，并于所述接触孔内形成与所述第二掺杂区相接触的金属硅化物层。本申请通过对形成于阱区内的第一掺杂区进行刻蚀形成凹槽，进而在凹槽处形成延伸至阱区内的第二掺杂区，可以降低第一掺杂区的区域压降，从而达到有效降低器件VFSD的目的。
