当地时间12月13日，美国拜登政府宣布，美国商务部已经与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，将根据《芯片与科学法案》向博世提供高达 2.25 亿美元的拟议直接补贴资金。这笔资金将支持博世投资 19 亿美元改造其位于加州罗斯维尔的制造工厂，用于生产碳化硅 (SiC) 功率半导体。并将在加州创造多达 1,000 个建筑工作岗位和多达 700 个制造、工程和研发工作岗位。
博世是全球领先的一级汽车供应商，其产品组合中的专业半导体业务是其差异化竞争优势之一。比如，博世还是汽车行业沟槽栅极 SiC 半导体的领先供应商。博世将在加州罗斯维尔生产的 SiC 器件对于提高电动汽车驾驶和充电效率至关重要。满负荷生产后，该拟议项目预计将生产博世 SiC 半导体总产能的大部分，并可能占美国所有 SiC 器件制造产能的 40% 以上。
博世北美及博世美洲区总裁保罗·托马斯表示：“罗斯维尔的投资使博世能够在当地生产碳化硅半导体，支持美国消费者走上电气化道路。在美国生产这项关键技术彰显了我们在移动市场的领导地位。”
博世预计将从 2026 年开始在其罗斯维尔工厂生产首批 200 毫米晶圆芯片。该工厂将执行前端设备制造和后端测试、分类和切割工艺。
博世表示，将致力于为罗斯维尔工厂的员工和建筑工人提供价格合理、质量上乘的托儿服务。博世推出了一款新的导航工具，帮助员工和建筑工人找到高质量的托儿服务，包括短期、持续和备用的居家或中心托儿服务。为了完成该项目的建设，博世将根据与萨克拉门托-塞拉建筑和建筑行业工会签订的项目劳工协议 (PLA) 开展业务。
博世还计划申请美国财政部的先进制造业投资抵免 (CHIPS ITC)，该抵免额占合格资本支出的 25%。除了高达 2.25 亿美元的拟议直接资金外，芯片法案计划办公室还将根据 PMT 向博世提供约 3.5 亿美元的拟议贷款——这是《芯片与科学法案》提供的 750 亿美元贷款授权的一部分。来源：今日半导体
