国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“集成半导体器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133083 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种集成半导体器件及其制备方法，其中集成半导体器件的制备方法中，采用DTI(第一深沟槽隔离结构、第二深沟槽隔离结构)和SOI(底层硅衬底、中间氧化层和顶层硅衬底)结合，形成全介质隔离，从而完全隔离SOI上的CMOS器件(本实施例以NMOS器件为例)和LDMOS器件，提高了芯片整体的抗EMI能力，并完全杜绝寄生双极效应，消除了闩锁的风险，从而提升了电路工作可靠性。
