近年来，氧化镓PECVD外延生长技术取得了显著进展，为高性能器件的制备提供了重要支持。随着薄膜质量的提升和掺杂技术的进步，制备出高性能的电力电子器件和光电探测器将成为可能，进一步提升氧化镓材料的应用价值。
近期，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。期间，“超宽禁带半导体技术 I”分会上，南京邮电大学副教授、苏州镓和半导体研发总监李山做了“氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究”的主题报告，分享了PECVD 外延生长及调控、氧化镓光电信息传感器件等研究进展。涉及PECVD 外延生长的腔压调控、温度调控、生长模式、退火调控、合金掺杂调控，InGaO光电探测器，InGaO的PPC效应，InGaO合金化合物薄膜，神经形态视觉传感器等内容。
李山
南京邮电大学副教授、苏州镓和半导体研发总监
报告显示，其研究团队，从超宽禁带半导体氧化镓的丰富物理特性中拓展出新颖信息感知应用。报告指出，基于PECVD（调控腔压、温度）开发了2英寸氧化镓薄膜外延生长技术，实现了氧化镓薄膜岛状模式生。通过氧气氛温度退火有效降低PECVD氧化镓外延薄膜的氧空位缺陷，光暗电流比提升2个数量级。In/Ga合金掺杂实现InGaO薄膜带隙宽度从3.9~4.9 eV的连续性调控。掺杂0.02比例的InGaO MSM器件实现高质量的光学成像。0.1掺杂比例的InGaO薄膜存在相分离，缺陷和晶界协同增强PPC效应，实现神经形态视觉传感器的感存功能应用。
嘉宾简介
李山，南京邮电大学院副教授，硕士生导师，World's Top 2% Scientists (2023/2024)，江苏省科协青年托举人才。聚焦于超宽禁带半导体氧化镓材料生长及信息感知器件研究，近五年来以第一作者或通讯作者发表高水平学术论文30余篇，包括IEEE TED/EDL/PTL、APL、JPCL等，被引2000余次。主持/参与课题10余项，包括国家重点研发计划、国家自然科学基金重点和青年项目、江苏省双创团队项目、苏州市揭榜挂帅项目等。
苏州镓和半导体有限公司
苏州镓和半导体有限公司是一家专业从事氧化镓材料、相关器件及其应用研发的高科技企业。公司的核心技术源于创始团队十多年来在该领域的研究成果，我们提供一系列的服务，包括生产研发高质量单晶衬底和外延晶片、单晶及外延设备、高灵敏日盲紫外探测器件、高压高温高频率大功率电力电子器件以及满足特定要求的定制服务。
（根据现场资料整理，仅供参考）
