天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司“一种半导体结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年11月5日，申请公布号为CN118899257A。
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；层间介质层，覆盖衬底；接触孔，自层间介质层的表面延伸至伸入衬底内；第一粘合层，覆盖接触孔的底壁及侧壁；导电插塞，填充接触孔；第二粘合层，形成于层间介质层及导电插塞的表面，第二粘合层的硬度大于第一粘合层的硬度；以及，金属电极层，覆盖第二粘合层。利用第二粘合层作为金属电极层与层间介质层之间的结合层，由于第二粘合层的硬度大于第一粘合层的硬度，可有效阻隔金属电极层对衬底的影响，因此可以提高打线强度，同时，在形成第二粘合层时，先去除层间介质层上的第一粘合层，第二粘合层不会因与第一粘合层之间结合力差而容易剥落，由此可以保证器件性能。
