硅在电力电子市场占据主导地位背后有几个原因。硅以其优良的原材料质量，易于加工，低成本大规模生产的机会，可靠的可靠性和电路设计遗产而闻名。然而，尽管取得了重大进展，硅器件现在正接近其操作极限。它们被相对较低的带隙和较低的临界电场所阻碍，这些特性导致高传导和开关损耗以及不合标准的高温性能。为了解决这些缺点，人们一直在努力提高商用SiC功率器件的竞争力。用碳化硅制成的晶体管和二极管具有优越的材料特性，可以生产具有更小尺寸和简化冷却管理的高效功率器件。
Victor Veliadis
美国 Power America 执行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大会主席、北卡罗莱纳州立大学教授
近期，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。开幕大会上，美国 Power America 执行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大会主席、北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来了“加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程”的主旨报告。
碳化硅(SiC)有利的材料特性允许在减少形状因素和冷却要求的情况下实现高效的功率器件。报告讨论了Si, SiC和GaN的共存，并突出各自的竞争应用优势。器件制造方面的重点放在没有从成熟的硅制造世界延续下来的工艺上，因此是特定于SiC的。介绍反映了Si的充满活力的SiC制造基础设施的晶圆厂模型。
报告识别和分析SiC大规模商业化的障碍。其中包括高于硅的器件成本与面积不成比例地增加，限制产量和器件面积的缺陷，可靠性和坚固性问题等，以及需要训练有素的劳动力熟练地将SiC插入电力电子电路。Si和SiC之间的系统级价格平价将主要通过减少无源元件的质量和体积以及简化热管理来实现。
嘉宾简介
Victor Veliadis博士是美国 Power America 执行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大会主席、北卡罗莱纳州立大学教授 ，PowerAmerica是一家由会员驱动的美国工业、大学和国家实验室制造研究所，致力于加速节能碳化硅和氮化镓功率半导体芯片和电子产品的商业化。在PowerAmerica，他管理着1.56亿美元的预算，并将其战略性地分配给210多个工业和大学项目，以促进SiC和GaN半导体以及电力电子制造、劳动力发展和创造就业机会。
2023年，Veliadis博士赢得了美国能源部6400万美元的PowerAmerica续约，以进一步促进WBG电力技术的发展。他也是耗资500万美元的美国国家标准与技术研究所“在美洲原住民社区建立流行病抵御能力”电气化和应急管理项目的首席研究员。Veliadis博士是北卡罗来纳州立大学教授，也是IEEE Fellow和EDS杰出讲师。他拥有27项美国专利、12本书的章节和163篇同行评审的出版物。Veliadis博士在半导体行业工作了21年，他的工作包括设计、制造和测试SiC器件、军用雷达放大器的GaN器件，以及商业半导体工厂的财务和运营管理。拥有约翰·霍普斯金大学电气工程博士学位。
同时，Victor Veliadis 教授作为ICSCRM 2024大会主席，也彰显他在行业的地位和影响力。2024年碳化硅及相关材料国际会议（ICSCRM 2024）是今年规模最大的SiC领域国际顶会，在美国北卡罗来纳州罗利举行，吸引力全球一千多人出席与参加。ICSCRM旨在探索、展示和讨论SiC和其他宽禁带半导体领域的最新成果。此次会议吸引超过1200名来自业界、学术界和公共部门的代表参加。
（根据现场资料整理，仅供参考）
