2024年11月19-21日，第十届国际第三代半导体论坛与第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）在苏州盛大召开。作为论坛同期重要配套活动之一，《强芯沙龙·会客厅》首次线下开展，在“平台建设与人才培养”主题环节中，深圳平湖实验室科技发展部副部长丁祥金对“国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室”做了详细介绍。
信息、能源和物质生产是人类社会三块基石。半导体技术促进信息技术、物质生产发展和更多能源需求。化合物半导体为社会发展与能源需求协调一致提供解决方案。丁祥金副部长介绍，面对重大需求，2021年3月18日，科技部印发《关于支持建设国家第三代半导体技术创新中心的函》，明确深圳市政府作为责任主体联合江苏省共同支持国家第三代半导体技术创新中心建设，由中国电子科技集团作为建设单位联合相关单位落实各项建设任务。 2021年12月28日，国创中心成立大会上，科技部授予深圳市“国家第三代半导体技术创新中心”和“国家第三代半导体技术创新中心（深圳）”两块牌子。
深圳平湖实验室概况：2022年8月深圳市成立深圳平湖实验室并作为主体运营，在深圳市龙岗区罗山科技园建设一流的化合物功率半导体研发、中试、工艺、检测平台。建设深圳综合平台是深圳市政府深入贯彻落实习近平总书记重要指示和重要部署的战略举措。深圳平湖实验室占地面积130亩，100级洁净间面积9500平米，拥有业界领先的宽禁带功率半导体基础设施，国际先进设备和国产优秀设备380余台套。深圳综合平台人力规模约350人，汇集海内外顶尖人才，采取开放共享的运行模式，建立由合作伙伴组成的生态系统，打造面向全国的开放、公共、共享的科研平台、中试平台和分析检测中心，共同构建可持续发展的未来。
产业定位：致力于功率芯片领先技术开发及产业能力提升。产业链对技术可用性期望，逐层向下传导。芯片是应用链对底层功能和产品性能期望的直接承载者。更可靠的底层产品、更能全面技术、更详实数据支持服务。芯片制造是技术要素的整合者，是应用性能的承载者和底层改进的拉动者。
愿景、价值观与使命：追求在SiC和GaN等第三代半导体领域及面向第四代半导体产出世界级成果，培养世界级人才。落实国产化设备验证、材料验证，最终打造全流程国产化产线并持续牵引、推动国产设备和材料的进步和赶超。融合高等院校、科研院所、行业龙头企业的科研基础和技术创新力量，以市场需求为牵引，突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，打通第三代半导体全产业链，并在下一代半导体产出创新成果。
丁祥金副部长表示，目前深圳平湖实验室建有全国首条8吋SiC/GaN中试线的功率半导体开放共享平台。覆盖第三代功率半导体衬底、外延、器件制备、封装测试、失效分析、可靠性验证全链条；建成先进的8inch工艺平台，具备向下兼容能力。支撑15-1200V GaN HEMT及1.2kV-15kV SiC MOSFET器件开发；对标国际一线Fab设备配置和专业团队，具备研发、中试与产业化能力。布局氧化镓、金刚石、氮化铝、锑化物及异质集成材料与器件的研究。深圳综合平台具备碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。应用领域涵盖新能源汽车与轨道交通电驱动、新型电力系统、新一代通信和数据中心基础设施供电、消费类电子和通用电源、抗辐照高功率密度电源装置等特种装备及其它应用。
报告中，丁祥金副部长还对深圳综合平台的研究方向、工艺平台能力、设计与仿真能力、EDA国产化催熟与验证、分析检测能力、人才团队、运营模式等方面做了详细介绍。他表示，目前实验室拥有自主可控仿真设计平台, 协同仿真-设计-制造-封装-可靠性多维度联合。支撑半导体的建模、提参、TCAD仿真、PDK的建立、良率预测、可靠性分析。打造第三代半导体工程服务平台，提供复杂的计算机仿真、验证、培训、成果转化服务。与国产EDA厂商紧密合作，实现国产EDA工具快速验证迭代。搭建产学研紧密合作的第三代半导体国产EDA公共服务平台，推动国内功率半导体产业链的发展进步。具备完善的、顶尖的第三代功率器件封装和测试表征设备资源，围绕构建第三代半导体产业引领技术和关键共性技术协同创新格局，拥有先进功率器件分析检测所需的全套设备。
目前深圳综合平台人力规模约350人，首席团队来自国内外第三代/第四代半导体顶尖企业和科研机构， 其中70%具有海外工作经验。研发团队博士占比超30%打造勇于创新、敢于试错的研究型队伍。资深工程师（工作经验8年以上）占比超50%，来自国内外知名Fab厂。通过产学研深入协同，与国内重点高校建立创新人才培养机制。共同确立新研究课题、共同攻克关键技术、工程硕博联合培养。坚持在国家重大专项布局、基础研究、人才培养、专项创新中心、产业生态建设等在生态伙伴的协同下积极落地，共创宽禁带功率半导体产业生态。
平台建设与人才培养主题分享嘉宾合影
