11月25日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项氮化铝晶片方面的团体标准立项建议，详细信息如下：
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 055—202X 半导体材料紫外光电子能谱测试方法采用具有低能量、高分辨率的紫外光电子谱分析仪对InAs、GaSb、Si、InP进行紫外光电子能谱测试。本文件描述了半导体材料紫外光电子能谱测试的方法，包括目的、原理、要求、标准材料、样品制备、程序、数据处理、报告。适用于半导体领域常用材料的紫外光电子能谱测试。 T/CASAS 056—202X 半导体材料紫外光电子产额谱测试方法采用具有低能量、连续可调的紫外光电子谱分析仪对InAs、GaSb、Si、InP进行紫外光电子产额谱测试，通过对四种材料的紫外光电子产额谱开3次方根，可以得到材料的离化能IP。本文件描述了半导体材料紫外光电子发射产额测试的方法，包括目的、原理、要求、标准材料、样品制备、程序、数据处理、报告。适用于半导体领域常用材料的紫外光电子发射产额测试。
