第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）近日在苏州召开。本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
开幕大会上，中国科学院院士、浙大宁波理工学院校长、浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室主任、教授杨德仁带来了《半导体材料产业的现状和挑战》的主题报告。
近年来，受益于5G、人工智能、消费电子、汽车电子等需求拉动，全球半导体材料市场规模呈现波动并整体向上的态势。为推动半导体产业发展，带动传统产业改造和产品升级换代，进一步促进国民经济持续健康发展，我国推出了一系列支持半导体产业发展的政策，半导体材料作为半导体产业链上游，备受关注。 杨德仁院士几十年来研究不辍，其研究的具有自主知识产权的掺氮、微量掺锗、重掺磷等成果已在我国航天器、微电子、太阳能硅晶体等领域实际应用，支撑着我国半导体行业的技术需求。报告详细分享了硅半导体、化合物半导体材料、宽禁带半导体材料和半导体材料设备的发展现状，分析目前我国半导体材料面临的挑战和突围之路。
报告显示，高端 4、6 英寸半绝缘GaAs衬底主要依赖进口，化合物半导体材料InP，技术水平基本达到产业化需求，但产能不足。宽禁带半导体材料方面，高端射频器件用GaN单晶衬底存在“卡脖子”风险，8 英寸SiC单晶大批量产业化是未来方向。半导体材料设备，12英寸硅外延设备已经有国产。
报告指出，半导体材料产业具有研发投入大、周期长，技术难度大、门槛高，全球市场充分竞争，头部企业国际垄断严重等特点。从半导体材料产业来看，也面临着产品水平处于中低端，先进、高端半导体材料严重依赖进口，企业规模较小，半导体材料的生长、加工设备缺乏，半导体材料的测试设备几乎空白等挑战。专家表示，尽管技术产业发展进步很快速，距离依然在。包括氮化物宽禁代半导体的材料和器件研究依然面临一系列关键科学技术问题，需继续开展深入、系统的研究工作。
（根据现场资料整理，仅供参考）
