2024年11月12日，天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。
该扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。该项目全面投产后，公司的产能将得到显著提升，进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。杨建总经理在致辞中表示：
“公司核心产品为6-8英寸碳化硅衬底，技术参数指标与国际龙头企业相当，产品质量达到国际先进水平，已向国内外多家企业及科研机构批量供应，为国产碳化硅材料在功率器件、微波射频器件等领域的应用奠定了基础。同时，公司的产品畅销至日本及欧美在内的20多个国家和地区，是国内少数能够进入国际知名企业的高端技术产品。”天科合达表示，随着北京二期项目的启动，标志着天科合达开启了崭新的发展篇章，同时为区域经济的蓬勃发展注入了新的动力。该项目不仅将推动公司在碳化硅衬底材料领域的技术进步和产能扩张，也能通过优化生产流程和提高效率，有效降低成本。
来源：天科合达官微
