国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“功率器件”的专利，公开号CN 118919575 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种功率器件，例如包括：半导体基底，具有有源区和位于有源区外侧的外围区域；场氧层，设置在半导体基底上并暴露出有源区；电极层，设置在有源区并与半导体基底形成电接触、且从有源区朝向外围区域延伸至场氧层的背离半导体基底的一侧以与场氧层部分重叠；以及钝化层，设置在场氧层上、并从外围区域朝向有源区延伸至覆盖电极层且暴露出至少部分电极层的背离半导体基底的顶表面。场氧层上设置有未贯穿场氧层的凹槽，钝化层填充入凹槽内。通过在场氧层上设置未贯穿的凹槽、并使钝化层填充入凹槽内，其可以提高钝化层在外围区域的附着力，减少器件钝化层分层的风险；再者，由于凹槽处保留了一部分场氧，这样也保留对基底表面的保护作用。
