广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司取得一项名为“一种交流电阻加热器及SiC单晶生长装置”的专利，授权公告号CN 221979113 U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本申请提供一种交流电阻加热器及SiC单晶生长装置，交流电阻加热器包括底部发热体及中部发热体；底部发热体用于加热坩埚内物料装填区底部的物料，中部发热体用于加热坩埚内物料装填区中上部的物料，且中上部物料的中部发热体沿轴向单位长度的发热量大 于底部发热体沿轴向单位长度的发热量，如此，可以在物料的底部与中上部之间形成轴向温度梯度使得底部物料的温度低于中上部物料的温度底部分解的SiC气相组分在上升过程中不会在温度较高的物料表面结晶，而是直接进入生长腔体内，并通过扩散或对流在籽晶上结晶，提高了晶体的生长速度，且有助于4HSiC晶型的稳定。