2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。
日本华为股份有限公司高级首席专家滨田公守将出席论坛，并将带来《最新高性能SiC MOSFET技术趋势》的大会报告。
SiC是实现低碳社会电力电子系统新时代的一种有前景的材料。近年来，SBD和MOSFET等SiC器件开始大量供应，利用这些器件的应用范围正在扩大。但可以利用SiC优势并有望实现稳定增长的市场尚未完全建立，其中一个主要原因是成本高，而芯片性能影响着成本。近年来，8英寸晶圆的供应已经开始，报告将分享最新高性能SiC MOSFET技术趋势，敬请关注！
嘉宾简介
滨田公守
日本华为股份有限公司高级首席专家
滨田公守于1985年加入丰田汽车公司。1987年，他作为创始成员之一参与了TMC的内部半导体项目，主要负责功率MOSFET、BiCDMOS、IGBT和SiC MOSFET的器件开发。目前担任华为技术日本公司功率半导体技术领域的高级首席专家，是日本电气工程师学会（IEEJ）、日本汽车工程师学会（JSAE）和IEEE的成员。他获得了ISPSD2005和ISPSD2020的最佳论文奖，曾担任ISPSD2021名古屋分会的总主席。
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