2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心G馆举办。
芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司将携多款产品亮相此次展会。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临A09号展位参观交流、洽谈合作。
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司执行总监韩跃斌将出席论坛 “强芯沙龙·会客厅”，并分享《基于超高温CVD技术的第三代半导体碳化硅外延设备的研发和产业化》的主题报告，敬请关注！
报告嘉宾
韩跃斌
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司执行总监
演讲报告：《基于超高温CVD技术的第三代半导体碳化硅外延设备的研发和产业化》
演讲会场：“强芯沙龙·会客厅”
公司简介
芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司是一家根植本土，拥有全球高端人才和自主知识产权的尖端半导体芯片制造设备公司，致力于建立以中国为基地、世界领先的泛半导体产业关键设备和核心技术平台。公司目前聚焦碳化硅SiC等高端核心第三代半导体装备，倾心倾力为客户提供最适合大规模量产的高性能和稳定的装备和先进技术方案。并将扩展到泛半导体设备领域，打造泛半导体设备产业航空母舰，树立全球半导体企业标杆。作为国内成熟的以垂直式、6/8吋兼容为特色的SiC外延设备制造商，芯三代已经大批量出货6吋设备和8吋设备到10多家头部及主流客户，公司目前已经进入到IPO辅导备案阶段。
产品简介
产品名称：大规模量产型碳化硅外延生长设备（SiC-CVD）
产品型号：SiCCESS 系列单、双腔垂直流设备
产品参数：
（1）产能：≥1000片/月；通过工艺优化，可超过1200片/月
（2）外延规格：6吋（兼容8吋）
（3）温区：多区控温
（4）气流模型：多区可调喷淋
（5）旋转速度：0-1000转/分钟
（6）最高外延生长速率：≥60微米/小时
（7）片内厚度均匀性：≤2%（可优化到1%以内，δ/平均值，EE5mm）
（8）片内浓度均匀性：≤3%（可优化到2%以内，δ/平均值，EE5mm）
性能说明/产品特点
设备拥有完全独立的自主知识产权，具有独创的进气方式、垂直气流和精准的温场控制技术，辅以全自动上下料（EFEM）系统和高温传盘等手段，实现了全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内碳化硅产业的空白。设备具有6/8英寸兼容、低缺陷率、高产能、性价比高、适合厚膜生长、PM周期长容易做、不破真空做P/N 掺、适合多次多层外延和沟槽填充等特点。
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