沈波教授将出席第十届国际第三代半导体论坛并做大会报告| IFWS 2024前瞻

日期:2024-11-08 阅读:293
核心提示:北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波将出席论坛,并将带来《基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件》的大会报告,敬请期待!

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2024年11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024)&第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心举办。 

北京大学理学部副主任、特聘教授沈波将出席论坛,并将带来《基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件》的大会报告。 

大失配外延技术在氮化物第三代半导体材料中的应用显著提升外延质量,推动材料和器件的产业化应用,进一步拓展其在各个领域的应用前景。沈波教授团队在该领域有着深入的研究,比如通过大失配异质外延技术,发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法,制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料等。报告将分享相关研究进展与成果,敬请期待!

嘉宾简介

沈波1

沈波

北京大学理学部副主任、特聘教授

沈波教授是北京大学博雅讲席教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任,长期从事GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件研究,在GaN基薄膜和量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了一系列研究成果,先后主持参加了20多项国家级科研项目,发表高质量论文400余篇,获得/申请国家发明专利80多件,与国内外多家知名企业开展了技术合作并实现了部分成果的产业化应用,荣获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、教育部科技进步一等奖等。

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