国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种双腔处理系统及气体供应方法”的专利，公开号CN 118888421 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双腔处理系统及气体供应方法，包括：两个处理腔，用于分别对置于其中的基片进行工艺处理。主进气通道，与一工艺气体源相连，用于将所述工艺气体源中的工艺气体输送至两个所述处理腔内。气体流量调节组件，设置在所述主进气通道上，包括至少一个气体分流器。流量调整控制单元，用于根据两个处理腔的基片处理结果控制所述气体流量调节组件以实现对进入两个处理腔内的工艺气体气流的调整。本发明能够解决由于双腔处理系统的出气口的固有问题导致的两个处理腔的气压不同，进而导致两个处理腔内的刻蚀率存在不一致的问题。
