天眼查显示,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为“半导体材料生长速率的测试方法”的专利,授权公告号为CN118168882B,授权公告日为2024年10月11日,申请日为2024年5月14日。
本发明提供一种半导体材料生长速率的测试方法,包括:对半导体衬底层进行刻蚀之后,在半导体衬底层的表面交替外延第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层均包括相同的主半导体材料;第一半导体层的导电类型和第二半导体层的导电类型不同;或者,第一半导体层还包括第一掺杂离子,第二半导体层还包括第二掺杂离子,第一掺杂离子的浓度和第二掺杂离子的浓度不同;沿晶向进行切割,形成切割面;对切割面进行显微镜测试,获取不同晶向对应的第一半导体层和/或第二半导体层的测试厚度;根据不同晶向对应的测试厚度、以及第一半导体层和/或第二半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率。