长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权

日期:2024-11-04 阅读:244
核心提示:天眼查显示,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为半导体材料生长速率的测试方法的专利,授权公告号为CN11

天眼查显示,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为“半导体材料生长速率的测试方法”的专利,授权公告号为CN118168882B,授权公告日为2024年10月11日,申请日为2024年5月14日。 

本发明提供一种半导体材料生长速率的测试方法,包括:对半导体衬底层进行刻蚀之后,在半导体衬底层的表面交替外延第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层均包括相同的主半导体材料;第一半导体层的导电类型和第二半导体层的导电类型不同;或者,第一半导体层还包括第一掺杂离子,第二半导体层还包括第二掺杂离子,第一掺杂离子的浓度和第二掺杂离子的浓度不同;沿晶向进行切割,形成切割面;对切割面进行显微镜测试,获取不同晶向对应的第一半导体层和/或第二半导体层的测试厚度;根据不同晶向对应的测试厚度、以及第一半导体层和/或第二半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率。

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