【IFWS2024】第三代半导体标准与检测研讨会日程出炉

日期:2024-11-01 阅读:261
核心提示:IFWS分会之一的“第三代半导体标准与检测研讨会“最新报告日程正式出炉。将于11月20日,在苏州国际博览中心G馆 • G103-104召开,诚邀邀请业界同仁参与。

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2024年11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024)&第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心举办。 本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,国家第三代半导体技术创新中心(苏州)(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。 

目前,论坛的”第三代半导体标准与检测研讨会“日程出炉,工业和信息化部电子第五研究所研究员陈媛、第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长高伟受邀将共同主持研讨会。 

届时,重庆大学教授曾正,清纯半导体(宁波)有限公司研发总监孙博韬,忱芯科技(上海)有限公司总经理毛赛君,深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽,工业和信息化部电子第五研究所研究员雷志锋,南京大学副研究员周峰,东南大学博士后李胜,广东工业大学教授贺致远等来自产学研用不同环节的专家们齐聚,分享精彩主题报告,共同探讨相关标准、检测技术、解决方案以及技术研究进展,敬请关注! 

分会详细日程

 

第三代半导体标准与检测研讨会

The Advanced Semiconductor Standard and Testing Seminar

时间:202411月20日

地点:苏州国际博览中心G馆 • G103-104

Time: Nov 20, 09:00-12:00

Location: Suzhou International Expo Centre • G103-104

主持人        陈媛  工业和信息化部电子第五研究所  研究员

Moderato    高伟  第三代半导体产业技术创新战略联盟  副秘书长

14:00—14:10

领导致辞

14:10—14:30

SiC功率器件开关动态测试方法十议:T/CASAS 033-2024标准解读

曾 正 教授 重庆大学

14:30—14:50

基于SiC MOSFET可靠性标准的产品验证与失效机制

孙博韬 研发总监 清纯半导体(宁波)有限公司

14:50—15:10

SiC MOSFET标准体系符合性测试设备挑战与整体解决方案

毛赛君 总经理 忱芯科技(上海)有限公司

15:10—15:30

面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用

何光泽 失效分析首席专家 深圳平湖实验室

15:30—15:40

休息

15:40—16:00

面向新能源应用的电力电子器件大气中子单粒子烧毁风险评估技术

雷志锋 研究员 工业和信息化部电子第五研究所

16:00—16:20

面向宽禁带半导体GaN应用的紫外脉冲激光辐照实验技术

周 峰 副研究员 南京大学

16:20—16:40

GaN HEMT功率器件寿命预测SPICE模型研究

李 胜 博士后 东南大学

16:40—17:00

动态应力下GaN功率器件阈值电压不稳定性机理研究

贺致远 教授 广东工业大学

17:00—17:30

交流与讨论

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