2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。 本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
除了重量级开幕大会，论坛设有五大热点主题技术分会，以及多场产业峰会和先进半导体技术应用创新展，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。
目前，作为IFWS的重要分会之一的“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会”最新报告日程正式出炉。本届分会得到了国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、北京北方华创微电子装备有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州中科重仪半导体材料有限公司的协办支持。组委会特邀请北京大学理学部副主任、长江特聘教授沈波，江苏第三代半导体研究院院长、中国科学院苏州纳米所副所长、研究员徐科，北京大学教授于彤军共同主持分会。
届时，将有日本NTT基础研究实验室负责人、资深杰出研究员谷保芳孝，中国电子科技集团第四十六所新材料研发中心副主任程红娟，西安电子科技大学教授周弘，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振，安徽工程大学集成电路学院副院长林信南，苏州思体尔软件科技有限公司总经理Lambrinaki MARIIA，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员任国强，山东大学教授/山东晶镓半导体董事长张雷，中国电子科技集团第十三所高级工程师韩颖，南京大学刘欢等来自国内外科研院校知名专家及实力派企业代表参与，围绕氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术主题共同探讨，关注前沿发展趋势及最新动向，敬请关注！
分会详细日程
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技术分会：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术 Technical Sub-Forum：Nitride Semiconductor Substrate, epitaxial growth and related equipment technology |
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时间：2024年11月20日08:50-12:10 地点：苏州国际博览中心G馆 • G107 Time: Nov 20, 08:50-12:00 Location: Suzhou International Expo Centre • G107 |
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协办单位 |
国家第三代半导体技术创新中心（苏州） National Center of Technology Innovation for Wide Bandgap Semiconductors (Suzhou) 北京北方华创微电子装备有限公司 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. 苏州思体尔软件科技有限公司 Suzhou STR Software Technology Co. Ltd. 中微半导体设备（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 苏州中科重仪半导体材料有限公司 CASInstrument Semiconductor Technology |
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主持人 Moderator |
沈波/SHEN Bo 北京大学理学部副主任、长江特聘教授 Professor of School of Physics at Peking University 徐科/XU Ke 江苏第三代半导体研究院院长、中国科学院苏州纳米所副所长、研究员 Director of Jiangsu Institute Advanced Semiconductors Ltd., Associate Director and Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), CAS 于彤军/YU Tongjun 北京大学教授 Professor of Peking University |
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08:50-09:00 |
嘉宾致辞 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
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09:00-09:25 |
氮化铝基半导体材料及器件的最新进展 Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices 谷保芳孝——日本NTT基础研究实验室负责人、资深杰出研究员 Taniyasu YOSHITAKA——Group leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
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09:25-09:45 |
氮化铝单晶材料研究进展与应用展望 Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials 程红娟——中国电子科技集团第四十六所新材料研发中心副主任 CHENG Hongjuan——Deputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46TH Institute |
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09:45-10:05 |
AlN基高压高频功率器件研究进展及挑战 Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials 周弘——西安电子科技大学教授 ZHOU Hong——Professor at Xidian University |
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10:05-10:25 |
硅衬底GaN基光电材料外延生长 Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate 孙 钱——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员 SUN Qian——Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences |
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10:25-10:45 |
GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究 Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure 姚威振——中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人 YAO Weizhen——Associate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences |
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10:45-11:05 |
用于氮化镓异质外延的高温PVD氮化铝缓冲层技术 High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy 林信南——安徽工程大学集成电路学院副院长 LIN Xinnan——Vice Dean and Professor , School of Integrated Circuits, Anhui University of Technology |
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11:05-11:20 |
茶歇 / Coffee Break |
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11:20-11:40 |
基于量产的氮化镓基光电子及功率器件的外延建模 Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices Lambrinaki MARIIA——苏州思体尔软件科技有限公司总经理 LAMBRINAKI MARIIA——General Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd. |
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11:40-12:00 |
氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战 Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method 任国强——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员 REN Guoqiang——Professor, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences |
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12:00-12:20 |
大尺寸氮化镓单晶生长研究进展 Research Progress on Growth of Large Size GaN Single Crystal 张雷——山东大学教授/山东晶镓半导体董事长 ZHANG Lei——Professor of Shandong University |
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12:20-12:35 |
6英寸复合衬底上厚GaN外延生长研究 Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate 韩颖——中国电子科技集团第十三所高级工程师 HAN Ying——Senior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute |
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12:35-12:50 |
等离子体辅助分子束外延生长AlN薄膜 AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy 刘欢——南京大学 LIU Huan——Nanjing University |
