日前，武汉新城，长飞先进武汉基地，相关负责人介绍，该项目11月起设备就能进驻厂房，明年年初开始调试，预计5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
2023年8月25日，长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷。7天后，项目正式启动建设。今年6月，主体结构全面封顶。“从去年9月打下第一根桩，到今年6月实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，对于一个投资百亿级的超大型项目而言，速度非常快。”项目负责人介绍。
按照原计划，项目将于2025年1月设备搬入，2025年7月量产通线，2026年年底达到满产。目前，项目进度提前了2个月。长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹表示，第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域具有广阔的应用场景。“我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场，发展第三代化合物半导体对于提升国际竞争力意义重大。”
光谷具备设计、制造、封装、测试等半导体全产业链条，拥有成熟的产业环境，聚集大量产业人才。去年开始，长飞先进在武汉招聘了数百名人才，他们目前在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上积累工作经验。随着生产设备搬入，部分产业人才将分批回到武汉，参与武汉基地设备调试、量产通线工作。
“目前全球碳化硅市场处于供不应求状态，长飞先进将持续加大研发投入力度，力争早日实现量产通线，将武汉基地打造成世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。”项目负责人说。
（来源 ：湖北日报）
